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顱內壓監護儀概述
文章出處: 西安百德儀器設備      發布于:2022-11-26

顱內壓監護儀概述
顱內壓監護儀是用來連續測量人體顱內壓(ICP)的醫用設備,可與腦硬膜外、腦硬膜下、腦室內光纖探頭相配,對腦硬膜內、外及嬰兒囟門進行顱內壓力監測。通常分為無創顱內壓監護儀和有創兩種顱內壓監護儀,又分為單參數顱內壓監護儀和多參數顱內壓監護儀。
基本結構
有創顱內壓監護儀通常由壓力傳感器、輔助生理參數傳感器、主機組成。用于連續測量顱腦內壓力。
無創顱內壓監護儀通常由主機、供電電源、顯示器、一個或多個生理參數功能模塊和報警系統組成。
工作原理
光纖探頭以光傳感信息,用光纖作為傳輸信息媒介,監護時把探頭感受到的患者顱內壓轉換為差動光信號傳遞給監護儀,監護儀經光電轉換,信號反饋,測量后將患者顱內壓在監護儀面板上加以顯示。
分類
有創性ICP監護
腦室內導管監測法側腦室前角穿刺后,將探頭安置在側腦室前角內,另一端經三通管連接監護儀和腦室引流瓶,此法是臨床上最常用的方法,較其他方法準確可靠,被稱為ICP監護的“金標準”法,但此法因穿刺較深易損傷腦組織,感染率達6%~11%,高于腦實質內置管法的1.7%~4%,ICP急劇增高時腦室發生變窄或移位,穿刺和置管的難度則相應增大。
腦實質內光纖傳感器監測法將一條帶有傳感器的細纖維光纜置入腦實質內進行監護。該方法降低了感染和顱內出血等風險,但準確性低于腦室內導管法,也不能具備引流腦脊液的作用。
硬膜外和硬膜下測壓法一般于側腦室前角穿刺部位,切開頭皮顱骨鉆孔,將帶有傳感器的探頭置入顱骨內板與硬腦膜之間或硬腦膜與軟腦膜之間,這兩種方法探頭安置方便,感染風險下降,損傷較輕,但易引起硬膜反應性增厚,因此降低了敏感性,且準確性相對較差。
無創性ICP監護由于創傷性ICP監護法安置探頭需開顱,操作復雜,損傷大,且易感染,從上世紀八十年代起,無創性測壓理論逐漸進入科學家們的視野,現已成為研究的一大熱點和難點。報道較多的無創性監測法如下。
經顱多普勒法搏動指數(gosling pulsatility index,PI)=(收縮峰血流速度-舒張期末血流速度)/平均速度,ICP增高時腦底大動脈舒張期血流速度減少,收縮峰變尖,PI增加。基于ICP與PI這種相關性,經顱多普勒通過監測腦底大動脈血流速度來間接反映ICP變化。但由于腦血管活性易受其他多種因素影響,且不同個體差異較大,PI與ICP之間的相關性缺乏特異性,故TCD法還不能成為可靠、有效的ICP監測手段。
經前囟測壓法(AFP)AFP法僅適用于突出于骨緣的前囟,但下壓外突的前囟可增高ICP,對患兒造成不利。
閃光視覺誘發電位法(f-vep)1984年YorkD發現視覺誘發電位的第二負向波(N2波)的延遲時間與顱內壓具有直接線性相關關系,通過測量N2波的延遲時間,求得顱內壓值,2001年Desch證實了此規律,國內也有文獻支持f-vep監護法的敏感性和準確性。但此方法也具有局限性:易受腦代謝因素如PaCO2、PO2、pH及BP等影響;嚴重視力障礙、眼底出血等眼部疾病,或顱內占位壓迫、破壞視通路時,均對f-vep存在影響;部分深昏迷或腦死亡患者f-vep消失 [2]  。
適應證
臨床適用于腦積水、腦水腫、顱內出血 、腦室膜炎、結核性腦膜炎、顱內占位性病變、腦手術后或腦外傷、腦脊液分泌過多循環或吸收障礙、顱內高壓時作控制腦脊液引流減壓、顱內高壓危象或腦積水等做顱內減壓、腦室膜炎需局部注藥治療等情況。
國內外大多數學者主張對重型顱腦損傷伴昏迷患者進行顱內壓監護,而對輕、中型者要根據頭部CT有無異常而決定。各個學者提出的具體標準雖有不同,但相差不大。Narayan提出,入院時CT掃描未見血腫,但有強直體位、血壓低于90mmHg或年齡40歲以上應常規監測,有利于早期發現遲發性血腫。在重型顱腦損傷病人中,可對下述四項存在兩項者,無論CT掃描有無異常,均應進行顱內壓監測。另外有休克、低氧血癥、高碳酸血癥等因素可引起顱內壓增高者可行顱內壓監測。
GCS評分在8分以下;
頭顱CT掃描有異常發現;
顱內血腫清除術后;
年齡在40歲以上,動脈收縮壓小于90mmHg。
判斷預后
ICP>40mmHg是腦功能損害的危險閾限在國內外得到認可。一般認為:ICP低于40mmHg時預后良好,ICP持續高于40mmHg,病死率可高達90%,ICP持續>50~60mmHg時,其病死率幾乎接近100%。我們可以得出為提高預后應力爭將顱內壓控制在40mmHg以下。
注意事項
顱內壓是指顱內壓力與大氣壓之間的差別,因而在測壓前首先要將測壓裝置的壓力調到與大氣壓相等,即調零,并將這一數據作一記錄,以保障監護儀測壓的精確度。
電子傳感器受溫度影響可產生零位漂移,應用后常需多次調零。
采用顱外傳感器測壓法,傳感器需與和腦室保持在同一水平,有學者提出以耳廓上沿為標志,注意勿壓腦室引流管及三通管。
保持傷口處清潔干燥,1~2d換藥一次,引流管接頭處每日消毒1~2次。
監護時間以3~4d為宜,時間過長增加感染機會,個別監護時間較長者應每隔數日及停止監護前送腦脊液培養及常規化驗。
若出現顱內感染,應立即停止監護。
監護過程中,及時記錄引起顱內壓變化的因素。盡量避免引起顱內壓變化的非顱內因素,以保證顱內壓監護的可靠性。
如呼吸道梗阻應及時清除,必要時行氣管切開;躁動者應給予適量的鎮靜劑;高熱者則需積極降溫;行腦脊液引流期間定期關閉引流管測壓;體位宜選頭高腳低,以利顱內靜脈回流。
顱內壓力過高及監護時間過長可引發腦脊液漏,此時應首先封堵漏口,再查明原因,采取相應處理。
據文獻報道出血率<15%,為避免出血,置管過程中勿反復穿刺,置管后應避免腦脊液引流過快或將顱內壓降的過低。

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